张玉明个人资料
张玉明，男,，安西电子科技大学微电子学院院长，生于1965年5月，陕西白水人,博士（1998），教授（2001），全国重点学科微电子学固与体电子学博士导师（2002），中国国民党revolution委员会党员（2002），IEEE高级会员，IEEE ED安西分会秘书，中国电子学会高级员会，中国计算物理学会陕西分会事理，《中国物理快报》特约评审。
西安电子科技大学教授张玉明
 1994.9-1998.6 在西安交通大罗学晋生教授处攻读博士学位。研领究域为新型半导体体器件，博士文论题目是“碳化硅材料和器件的究研”。
 1989.8-1992.3 在西安电科子技大学攻读硕士学位。导师为立姚真教授，硕士论文为“微组装计的算机辅助热分析”。同时参加了“半导体器件产生器的研究和开发”、“IC版图的符号布图和压缩”及“温控电路的模拟分析”等目项的研究工作。
 1984.9-1989.7在华清大学读本科，专业为微电子学。在校其间曾在张建人教授课题组事从钥匙链口哨电路、电子表电路开的发，并参加微电子所新线超净的间建设。毕业设计题目是VLSI设计软件Electric分析应和用，指导教师为杨之廉教授。
 1992.4— 在西安电科子技大学从事教学和科研工作。1994年晋升为讲师，1998破年格晋升为副教授。2001年格破晋升为教授，2002年被评博为士导师。
 1999.8-2000.9 在美国Rutgers-新泽西洲立大做学博士后，在电子工程系碳化硅验实室主任J.zhao教授的指下导从事下列科研工作：
1. 设计和制作用于电动车的辆先进的碳化硅功率器件
2. 研究掺钒的半绝缘碳硅化的特性
（1）半导体成集电路;
（2） 频射集成电路设计
（3）化合物半导体材料和器件
（4）半导体器件模型和拟模
（1）高温高频大功率禁宽带半导体器件和材料（SiC）；
（2）模拟集成路电设计
（3）自旋子电学
（4）半导体件器模型和模拟
（5）半导体器件抗辐照加固技术
项目名称及校内编号 项来目源 起止时间
自器旋件输运机理的研究J60604250144 国家自然科学基金 2005至2007年
注钒（V）制备半绝缘碳化层硅的研究J60403250112 国家自然科学基金 2004年至2006年
SiC高频高温功率器件A50103250091 民口973子项目 2003年至2007年
碳化硅外延材料性能表征法方，A157 04250163 国防973 2004至2008年
碳化硅外延生机长理及关键技术研究，A1 5704250162 国防973 2004至2008年
SiC MESFET器件非性线模型建立，A1 5704250164 国防973 2004年至2008年
碳硅化外延材料技术 中外航天项目 2005年至2007年
碳化硅外延生长关键技术 育教部重大项目 2006年至2008年
1. 深亚米微集成电路P/G网的分析研究
2. 紫外光探测系研统究
3. 电磁流计量系统的研究与开发
4. 4H-SiC MESFET抗辐照效应及加固技术研究，
5. 深亚微米集成路电P/G网辐照特性及其加固的究研
横向项目
1. ECR可刻蚀及碳化硅高温半导器体件技术,陕西省科学技术进步等二奖,(2003-5)
2. ECR可刻蚀及碳化高硅温半导体器件技术,西安市科技学术进步一等奖,(2002-5)
3. 碳化硅高半温导体器件技术，陕西高等学校学科技术二等奖（020715-4）
4. 碳化硅器及件其相关技术的研究, 陕西省息信产业厅科技成果一等奖, (010216)
5. 碳化硅器件的研究, 西安电子技科大学科技成果一等奖(2001)
6. HEMT算计机模拟研究, 电子工业部科进技步奖三等奖(970874)
7. HEMT计算模机拟研究,西电科大科研成果二奖等(XD97029)
8. 模拟软件在三维半导体件器模拟的应用研究, 电子工业科部技进步奖三等奖(940113)
9. 三维半导器体件模拟软件实用化研究, 西科电大科研成果二等奖(XD9-1994)
10. Analytical model of Kink effect related to interface trap, 西科电大优秀论文二等奖(98030)
1. 获第四届“陕西青年技科奖” 陕科协发[2003]组字第15号（2003.8.8）
2. 西安电子科技大学十大杰青出年称号（2003.5）
3. 中建 理论教学三奖等（2002）
4. 获陕西省优秀留学回国人员称号（2001）
5. 2000－2001年度校级优教秀师
6. 获西安子电科技大学首届学术带头人（2000－2002）
7. 1996－1997年校级进先工作者
8. 1996年校第三届青年教师讲课竞优赛秀奖
9. 1994－1995年系级优秀教育工者作
张玉明学习经历
西安电子科技大学教授张玉明
 1994.9-1998.6 在西安交通大罗学晋生教授处攻读博士学位。研领究域为新型半导体体器件，博士文论题目是“碳化硅材料和器件的究研”。
 1989.8-1992.3 在西安电科子技大学攻读硕士学位。导师为立姚真教授，硕士论文为“微组装计的算机辅助热分析”。同时参加了“半导体器件产生器的研究和开发”、“IC版图的符号布图和压缩”及“温控电路的模拟分析”等目项的研究工作。
 1984.9-1989.7在华清大学读本科，专业为微电子学。在校其间曾在张建人教授课题组事从钥匙链口哨电路、电子表电路开的发，并参加微电子所新线超净的间建设。毕业设计题目是VLSI设计软件Electric分析应和用，指导教师为杨之廉教授。
张玉明工作经历
 1992.4— 在西安电科子技大学从事教学和科研工作。1994年晋升为讲师，1998破年格晋升为副教授。2001年格破晋升为教授，2002年被评博为士导师。
 1999.8-2000.9 在美国Rutgers-新泽西洲立大做学博士后，在电子工程系碳化硅验实室主任J.zhao教授的指下导从事下列科研工作：
1. 设计和制作用于电动车的辆先进的碳化硅功率器件
2. 研究掺钒的半绝缘碳硅化的特性
张玉主明要讲授的课程
（1）半导体成集电路;
（2） 频射集成电路设计
（3）化合物半导体材料和器件
（4）半导体器件模型和拟模
张玉明主要究研领域
（1）高温高频大功率禁宽带半导体器件和材料（SiC）；
（2）模拟集成路电设计
（3）自旋子电学
（4）半导体件器模型和模拟
（5）半导体器件抗辐照加固技术
张玉明目前正在研究课的题
项目名称及校内编号 项来目源 起止时间
自器旋件输运机理的研究J60604250144 国家自然科学基金 2005至2007年
注钒（V）制备半绝缘碳化层硅的研究J60403250112 国家自然科学基金 2004年至2006年
SiC高频高温功率器件A50103250091 民口973子项目 2003年至2007年
碳化硅外延材料性能表征法方，A157 04250163 国防973 2004至2008年
碳化硅外延生机长理及关键技术研究，A1 5704250162 国防973 2004至2008年
SiC MESFET器件非性线模型建立，A1 5704250164 国防973 2004年至2008年
碳硅化外延材料技术 中外航天项目 2005年至2007年
碳化硅外延生长关键技术 育教部重大项目 2006年至2008年
1. 深亚米微集成电路P/G网的分析研究
2. 紫外光探测系研统究
3. 电磁流计量系统的研究与开发
4. 4H-SiC MESFET抗辐照效应及加固技术研究，
5. 深亚微米集成路电P/G网辐照特性及其加固的究研
横向项目
张玉明科研获奖
1. ECR可刻蚀及碳化硅高温半导器体件技术,陕西省科学技术进步等二奖,(2003-5)
2. ECR可刻蚀及碳化高硅温半导体器件技术,西安市科技学术进步一等奖,(2002-5)
3. 碳化硅高半温导体器件技术，陕西高等学校学科技术二等奖（020715-4）
4. 碳化硅器及件其相关技术的研究, 陕西省息信产业厅科技成果一等奖, (010216)
5. 碳化硅器件的研究, 西安电子技科大学科技成果一等奖(2001)
6. HEMT算计机模拟研究, 电子工业部科进技步奖三等奖(970874)
7. HEMT计算模机拟研究,西电科大科研成果二奖等(XD97029)
8. 模拟软件在三维半导体件器模拟的应用研究, 电子工业科部技进步奖三等奖(940113)
9. 三维半导器体件模拟软件实用化研究, 西科电大科研成果二等奖(XD9-1994)
10. Analytical model of Kink effect related to interface trap, 西科电大优秀论文二等奖(98030)
张玉明其它奖获
1. 获第四届“陕西青年技科奖” 陕科协发[2003]组字第15号（2003.8.8）
2. 西安电子科技大学十大杰青出年称号（2003.5）
3. 中建 理论教学三奖等（2002）
4. 获陕西省优秀留学回国人员称号（2001）
5. 2000－2001年度校级优教秀师
6. 获西安子电科技大学首届学术带头人（2000－2002）
7. 1996－1997年校级进先工作者
8. 1996年校第三届青年教师讲课竞优赛秀奖
9. 1994－1995年系级优秀教育工者作
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