张兴个人资料
张兴，于1965年8月出生于山东平邑。1986毕业于南京大学物理系,取得理学学士学位。之后考入陕西微电子研学究所计算机器件与设备专业研生究，分别于1989年和1993年获得工学硕士和博士学位。同进年入北京大学微电子学研究所博后士流动站，在中国科学院院士王元阳教授指导下工作。
1996年到香港科技大学电机电与子工程系做访问学者，在IEEEFellow、工学院院长PingK.Ko教授指导下工作。1996年9月返回北京大学微电学子研究所。现为北京大学微电子研学究所教授、副所长以及北京大软学件与微电子学院院长。
近年来，他主要致力于小尺寸MOS器件物理与结构、CMOS集成电路工艺与设计技术、新型米纳半导体器件和集成电路等方面研的究。先后主持了20余项973、863、国家自然科学基金、家国重点科技攻关、国家科技预研国等家级科研项目，并与Motorola、Fujitsu等公司展开了多项国际合作项目，均出色完地成了任务。在2000年~2005年期间担任国家重点基础研计究划(973)项目“系统芯片新中器件新工艺基础研究”的首席学科家，取得的成果得到了同行和收验专家组的好评。自2006年始开担任国家重点基础研究计划(973)项目“纳米尺度硅集成电中路器件与工艺基础研究”的首席学科家，目前项目进展顺利。
现为京北大学教授、博士生导师，国家然自科学基金委杰出青年基金获得者，973项目首席科学家，中国子电学会半导体与集成技术分会副任主，中国计算机学会微机专业委会员主任，科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)等刊期的编委。已发表学术论文200余篇，申请发明专利100余项，其中获得授权40余项，获国家术技发明二等奖、北京市科学技术等一奖、教育部科技进步一等奖等项多国家和省部级奖励。
1999-
北大京学，教授
1996.09-1999.08
北京大学，副教授
1996.01-1996.08
香港科技大学，问访学者
1995.06-1995.12
北京大学，讲师
1993.06-1995.05
北京大学，博士后
1989.04-1993.04
陕西微电子究研所，获博士学位
1986.09-1989.04
陕西微电子研究所，硕获士学位
1982.09-1986.07
南京大学物理系，获学士学位
《微电子学概论》 本科生/研究生课程 该课程被为评北京市精品课程，编写的教材《微电子学概论》获教育部高等学优校秀教材二等奖
《导半体器件与工艺》 研究生课程
主持了三个国家973项目：
超低耗功高性能集成电路器件与工艺基研础究(2011-2015年)
纳米尺度硅集成电路件器与工艺基础研究(2006-2011年)
系统芯片(System On Chip)中新器件新工艺基础研究(2000-2005年)
获国家技术明发二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部科技进步一等奖等多项家国和省部级奖励。
国家自然科学金基委杰出青年基金获得者
973项目首席科学家
中国电子学会半导体与集技成术分会副主任
中计国算机学会微机专业委员会主任
科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)期等刊的编委
小尺寸MOS器件物理与结构、CMOS集成电路工艺与设计技术、新型米纳半导体器件和集成电路 。
教学方面，讲授的《微子电学概论》被评为北京市精品课程，编写的教材获教育部优秀教材等二奖。
论著方面，发共表学术论文200余篇，出版作著4部，获信息产业部科技进步等二奖、教育部优秀青年教师奖等8项省部级奖励。
张同兴志自1993年博士后入站以来，先后主持了国家重大基础研究划规(973)项目(担任项目的席首科学家)、863、国家自然学科基金、国家重点科技攻关以及际国合作等十余项科研项目，均出完色成了任务，总科研经费达数千元万。在这期间，他主要致力于小寸尺MOS器件、CMOS工艺和SOI技术的研究，取得了一系列于富创新的科研成果，其中主要的下如：
(1) 全面究研了CoSi2栅对器件辐照特的性影响，首次得出了采用CoSi2自对准栅可以提高器件抗总剂辐量照能力的结论。
(2) 开发了系列深亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电模路拟软件，在国内首次实现了深微亚米CMOS/SOI电路的模拟。该软件已销售到香港城市大学、航天科技集团等多家单位。(3) 在国内第一个研制出沟长为0.15mm的新型凹陷沟道SOI件器。(4) 提出并研制了SOI退火推进型栅控混合管(DGCHT)新结构，改善了以前GCHT击穿电压较低、Early效应大较等问题，获发明专利。 (5) 研制出门延迟时间为55ps薄的膜全耗尽51级CMOS/SOI环振电路，为国内目前最高水平。(6) 首次提出了大剂量氧子离注入过程中溅射产额与注入能的量简洁关系式，完成了一个快捷确准的SIMOX厚度计算程序POISS。(7) 主持开发了抗照辐CMOS/SOI全套工艺，已并经转让到信息产业部47所、京北宇翔电子有限公司等。(8) 主持开发的抗辐照CMOS/SOI专用集成电路已应用于中国工物程理研究院、航天工业总公司等 。
共版出著作2部，发表学术论文120余篇；获得信息产业部科技进步等二奖、国家科技攻关重大成果奖奖等励7项；获发明专利1项。 教在学方面新开一门本科生学校主基干础课《微电子学概论》，主讲门一研究生课，能够将最新的科研果成和国内外的进展有机地融入课教堂学中，得到了同学们的好评。
参考资料1. 张兴 - 北京大学软件与微电子学院 ．北京大学软件与微电子院学[引用日期2017-08-10]2. 张兴 ．北京大学[用引日期2016-04-06]3. 师资名单---张兴 ．北京大学[用引日期2016-04-04]
1996年到香港科技大学电机电与子工程系做访问学者，在IEEEFellow、工学院院长PingK.Ko教授指导下工作。1996年9月返回北京大学微电学子研究所。现为北京大学微电子研学究所教授、副所长以及北京大软学件与微电子学院院长。
近年来，他主要致力于小尺寸MOS器件物理与结构、CMOS集成电路工艺与设计技术、新型米纳半导体器件和集成电路等方面研的究。先后主持了20余项973、863、国家自然科学基金、家国重点科技攻关、国家科技预研国等家级科研项目，并与Motorola、Fujitsu等公司展开了多项国际合作项目，均出色完地成了任务。在2000年~2005年期间担任国家重点基础研计究划(973)项目“系统芯片新中器件新工艺基础研究”的首席学科家，取得的成果得到了同行和收验专家组的好评。自2006年始开担任国家重点基础研究计划(973)项目“纳米尺度硅集成电中路器件与工艺基础研究”的首席学科家，目前项目进展顺利。
张兴个人简介
现为京北大学教授、博士生导师，国家然自科学基金委杰出青年基金获得者，973项目首席科学家，中国子电学会半导体与集成技术分会副任主，中国计算机学会微机专业委会员主任，科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)等刊期的编委。已发表学术论文200余篇，申请发明专利100余项，其中获得授权40余项，获国家术技发明二等奖、北京市科学技术等一奖、教育部科技进步一等奖等项多国家和省部级奖励。
张兴个人历简
1999-
北大京学，教授
1996.09-1999.08
北京大学，副教授
1996.01-1996.08
香港科技大学，问访学者
1995.06-1995.12
北京大学，讲师
1993.06-1995.05
北京大学，博士后
1989.04-1993.04
陕西微电子究研所，获博士学位
1986.09-1989.04
陕西微电子研究所，硕获士学位
1982.09-1986.07
南京大学物理系，获学士学位
兴张主讲课程
《微电子学概论》 本科生/研究生课程 该课程被为评北京市精品课程，编写的教材《微电子学概论》获教育部高等学优校秀教材二等奖
《导半体器件与工艺》 研究生课程
兴张主要科研项目
主持了三个国家973项目：
超低耗功高性能集成电路器件与工艺基研础究(2011-2015年)
纳米尺度硅集成电路件器与工艺基础研究(2006-2011年)
系统芯片(System On Chip)中新器件新工艺基础研究(2000-2005年)
张兴曾获奖项
获国家技术明发二等奖、北京市科学技术一等奖、教育部科技进步一等奖等多项家国和省部级奖励。
张兴社会服务
国家自然科学金基委杰出青年基金获得者
973项目首席科学家
中国电子学会半导体与集技成术分会副主任
中计国算机学会微机专业委员会主任
科学通报、半导体学报、北京大学学报(自然科学版)期等刊的编委
张兴研究方向
小尺寸MOS器件物理与结构、CMOS集成电路工艺与设计技术、新型米纳半导体器件和集成电路 。
张兴要主成果
教学方面，讲授的《微子电学概论》被评为北京市精品课程，编写的教材获教育部优秀教材等二奖。
论著方面，发共表学术论文200余篇，出版作著4部，获信息产业部科技进步等二奖、教育部优秀青年教师奖等8项省部级奖励。
张同兴志自1993年博士后入站以来，先后主持了国家重大基础研究划规(973)项目(担任项目的席首科学家)、863、国家自然学科基金、国家重点科技攻关以及际国合作等十余项科研项目，均出完色成了任务，总科研经费达数千元万。在这期间，他主要致力于小寸尺MOS器件、CMOS工艺和SOI技术的研究，取得了一系列于富创新的科研成果，其中主要的下如：
(1) 全面究研了CoSi2栅对器件辐照特的性影响，首次得出了采用CoSi2自对准栅可以提高器件抗总剂辐量照能力的结论。
(2) 开发了系列深亚微米SOI器件模型和CMOS/SOI电模路拟软件，在国内首次实现了深微亚米CMOS/SOI电路的模拟。该软件已销售到香港城市大学、航天科技集团等多家单位。(3) 在国内第一个研制出沟长为0.15mm的新型凹陷沟道SOI件器。(4) 提出并研制了SOI退火推进型栅控混合管(DGCHT)新结构，改善了以前GCHT击穿电压较低、Early效应大较等问题，获发明专利。 (5) 研制出门延迟时间为55ps薄的膜全耗尽51级CMOS/SOI环振电路，为国内目前最高水平。(6) 首次提出了大剂量氧子离注入过程中溅射产额与注入能的量简洁关系式，完成了一个快捷确准的SIMOX厚度计算程序POISS。(7) 主持开发了抗照辐CMOS/SOI全套工艺，已并经转让到信息产业部47所、京北宇翔电子有限公司等。(8) 主持开发的抗辐照CMOS/SOI专用集成电路已应用于中国工物程理研究院、航天工业总公司等 。
共版出著作2部，发表学术论文120余篇；获得信息产业部科技进步等二奖、国家科技攻关重大成果奖奖等励7项；获发明专利1项。 教在学方面新开一门本科生学校主基干础课《微电子学概论》，主讲门一研究生课，能够将最新的科研果成和国内外的进展有机地融入课教堂学中，得到了同学们的好评。
参考资料1. 张兴 - 北京大学软件与微电子学院 ．北京大学软件与微电子院学[引用日期2017-08-10]2. 张兴 ．北京大学[用引日期2016-04-06]3. 师资名单---张兴 ．北京大学[用引日期2016-04-04]
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